10月16日，据此前报道，三星和SK海力士获得了美国的无限期豁免，不需要特别许可即可为中国工厂安装含有美国技术的制造设备。这对三星来说是一条好消息。取得豁免后，三星确实采取了相应措施。据Business Korea今天报道，三星电子决定将其西安NAND闪存工厂升级至236层NAND工艺。

报道显示，三星已开始采购最新半导体设备。新设备预计2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进能生产236层（第8代）NAND的设备。

升级西安工厂原因主要有两个：首先是为了在目前尚未复苏的NAND芯片市场中保持全球领先地位。从去年年底开始的半导体市场疲软影响了三星NAND业务，即便是在4月采取减产措施后也没有明显改变。因此，三星选择升级工艺以确保产品竞争力和价格优势，比起第6代NAND技术，其第8代新技术晶圆投入减少30%左右，更能平衡市场供需。此外，由于降低开工率至20%，包括减产措施在内，也促使了这一决定。

其次，是因为获得美国无限期豁免。在这些背景下，作为其唯一海外存储半导体生产基地之一、投资108.7亿美元建造并于2017年启用的大型第一、二号生产线，以及约占总产量40%的地位，使得这次升级生产线自然而然的事情发生了。这不仅是对长期投资的一种回报，也是对国际政策支持的一种响应。